• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
-
Лента и катушка (TR)
500
:
:

1

$1.6128

$1.6128

10

$1.3216

$13.2160

100

$1.0304

$103.0400

500

$0.8736

$436.8000

1000

$0.7056

$705.6000

2500

$0.6720

$1,680.0000

5000

$0.6384

$3,192.0000

12500

$0.6048

$7,560.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
-
Лента и катушка (TR)
178
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.8W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.2A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1022pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.2A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs29.6nC @ 10V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA (Min)
Пакет устройств поставщика8-SO
captcha
0
0.637440s