• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMD65P03N8TA
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMD65P03N8TA
ZXMD65P03N8TA
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
-
Разрезанная лента (CT)
500
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMD65P03N8TA
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ZXMD65P03N8TA
ZXMD65P03N8TA
ZXMD65P03N8TA
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
-
Разрезанная лента (CT)
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаРазрезанная лента (CT)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.25W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.8A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds930pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.9A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25.7nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SO
captcha
0
0.541825s