• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
XP4NA1R4CMT-A
MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$4.8272

$4.8272

10

$4.0544

$40.5440

100

$3.2816

$328.1600

500

$2.9120

$1,456.0000

1000

$2.4976

$2,497.6000

3000

$2.3520

$7,056.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP4NA1R4CMT-A
XP4NA1R4CMT-A
XP4NA1R4CMT-A
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
-
Лента и катушка (TR)
1000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP4NA1R4C
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C49A (Ta), 223A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)45 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs75.2 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds7200 pF @ 20 V
captcha
0
1.010840s