• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
XP3C023AMT
MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$2.1280

$2.1280

10

$1.7696

$17.6960

100

$1.4112

$141.1200

500

$1.1872

$593.6000

1000

$1.0080

$1,008.0000

3000

$0.9632

$2,889.6000

6000

$0.9184

$5,510.4000

9000

$0.8960

$8,064.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
XP3C023AMT
XP3C023AMT
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
YAGEO XSEMI
MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
-
Лента и катушка (TR)
1000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3C023A
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.3.57W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Ta), 10A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
captcha
0
0.854806s