• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
XP10TN135N
MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.5376

$0.5376

10

$0.4592

$4.5920

100

$0.3136

$31.3600

500

$0.2464

$123.2000

1000

$0.2016

$201.6000

3000

$0.1792

$537.6000

6000

$0.1680

$1,008.0000

9000

$0.1568

$1,411.2000

30000

$0.1568

$4,704.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
XP10TN135N
XP10TN135N
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
-
Лента и катушка (TR)
785
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP10TN135
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs135mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.38W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds980 pF @ 25 V
captcha
0
1.517296s