• image of Память>W987D2HBJX7E TR
  • image of Память>W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
-
Лента и катушка (TR)
2500
image of Память>W987D2HBJX7E TR
image of Память>W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR
Память
Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительWinbond Electronics Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс90-TFBGA
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиVolatile
Рабочая Температура-25°C ~ 85°C (TC)
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
ТехнологииSDRAM - Mobile LPSDR
Тактовая частота133 MHz
Формат памятиDRAM
Пакет устройств поставщика90-VFBGA (8x13)
Время цикла записи — Word, Page15ns
Интерфейс памятиParallel
Время доступа5.4 ns
Организация памяти4M x 32
Программируемый DigiKeyNot Verified
captcha
0
2.744893s