• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMF4NTR
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMF4NTR
:
:

3000

$0.1232

$369.6000

6000

$0.1120

$672.0000

9000

$0.1008

$907.2000

30000

$0.1008

$3,024.0000

75000

$0.1008

$7,560.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMF4NTR
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMF4NTR
UMF4NTR
UMF4NTR
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA, 500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V, 12V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Частота – переход250MHz, 260MHz
Резистор — база (R1)2.2kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)2.2kOhms
Пакет устройств поставщикаUMT6
captcha
0
0.727225s