• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
:
:

10000

$0.0560

$560.0000

30000

$0.0560

$1,680.0000

50000

$0.0448

$2,240.0000

100000

$0.0448

$4,480.0000

250000

$0.0448

$11,200.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
UMD9N-13P
UMD9N-13P
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSOT-363
captcha
0
0.711821s