• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMB11NTN
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMB11NTN
:
:

1

$0.5152

$0.5152

10

$0.3696

$3.6960

100

$0.1792

$17.9200

500

$0.1680

$84.0000

1000

$0.1232

$123.2000

3000

$0.0784

$235.2000

6000

$0.0784

$470.4000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMB11NTN
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMB11NTN
UMB11NTN
UMB11NTN
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
-
Лента и катушка (TR)
6
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
PDF(9)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)10kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10kOhms
Пакет устройств поставщикаUMT6
captcha
0
0.698975s