• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
:
:

1

$68.6896

$68.6896

30

$60.3568

$1,810.7040

120

$56.2016

$6,744.1920

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TW015Z120C,S1F
TW015Z120C,S1F
TW015Z120C,S1F
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
-
Трубка
98
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура175°C
ТехнологииSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs21mOhm @ 50A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)431W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 11.7mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4L(X)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)18V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs158 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6000 pF @ 800 V
captcha
0
0.630260s