• image of Одиночные диоды>TRS12V65H,LQ
  • image of Одиночные диоды>TRS12V65H,LQ
TRS12V65H,LQ
G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$3.6736

$3.6736

10

$3.0800

$30.8000

100

$2.4976

$249.7600

500

$2.2176

$1,108.8000

1000

$1.9040

$1,904.0000

2500

$1.7920

$4,480.0000

5000

$1.7136

$8,568.0000

image of Одиночные диоды>TRS12V65H,LQ
image of Одиночные диоды>TRS12V65H,LQ
TRS12V65H,LQ
TRS12V65H,LQ
Одиночные диоды
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
-
Лента и катушка (TR)
4962
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-VSFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)0 ns
ТехнологииSiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф778pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io)12A
Пакет устройств поставщика4-DFN-EP (8x8)
Рабочая температура - соединение175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)650 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.35 V @ 12 A
Ток – обратная утечка @ Vr120 µA @ 650 V
captcha
0
0.578205s