• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
-
Лента и катушка (TR)
2000
:
:

1

$9.6432

$9.6432

10

$8.2656

$82.6560

100

$6.8880

$688.8000

500

$6.0704

$3,035.2000

1000

$5.4656

$5,465.6000

2000

$5.1184

$10,236.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 29 A GAN FET
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTOLL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha
0
0.605622s