• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
TP44400SG
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$2.3856

$2.3856

10

$2.0608

$20.6080

100

$1.7808

$178.0800

500

$1.4336

$716.8000

3000

$1.4336

$4,300.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
TP44400SG
TP44400SG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Tagore Technology
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
-
Лента и катушка (TR)
2960
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTagore Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс22-PowerVFQFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 2.8mA
Пакет устройств поставщика22-QFN (5x7)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)0V, 6V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.75 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds28 pF @ 400 V
captcha
0
0.574549s