• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>TDTC123J,LM
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>TDTC123J,LM
:
:

1

$0.1904

$0.1904

10

$0.1344

$1.3440

100

$0.0784

$7.8400

500

$0.0560

$28.0000

1000

$0.0448

$44.8000

3000

$0.0336

$100.8000

6000

$0.0336

$201.6000

9000

$0.0224

$201.6000

30000

$0.0224

$672.0000

75000

$0.0224

$1,680.0000

150000

$0.0224

$3,360.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>TDTC123J,LM
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>TDTC123J,LM
TDTC123J,LM
TDTC123J,LM
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
-
Лента и катушка (TR)
2950
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.320 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)2.2 kOhms
captcha
0
0.456359s