• image of Одиночные IGBT>STGSB200M65DF2AG
  • image of Одиночные IGBT>STGSB200M65DF2AG
STGSB200M65DF2AG
DISCRETE
-
Масса
200
:
:

1

$21.8960

$21.8960

10

$19.4544

$194.5440

200

$17.0128

$3,402.5600

600

$14.5152

$8,709.1200

image of Одиночные IGBT>STGSB200M65DF2AG
image of Одиночные IGBT>STGSB200M65DF2AG
STGSB200M65DF2AG
STGSB200M65DF2AG
Одиночные IGBT
STMicroelectronics
DISCRETE
-
Масса
150
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSTMicroelectronics
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс9-PowerSMD
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип вводаStandard
Время обратного восстановления (trr)174.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 200A
Пакет устройств поставщика9-ACEPACK SMIT
Тип БТИЗTrench Field Stop
Td (вкл/выкл) при 25°C122ns/250ns
Переключение энергии3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Условия испытания400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Заряд от ворот554 nC
ОценкаAutomotive
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)216 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)650 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm)700 A
Мощность - Макс.714 W
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.674815s