• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
SQJ110EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$1.8592

$1.8592

10

$1.5456

$15.4560

100

$1.2320

$123.2000

500

$1.0416

$520.8000

1000

$0.8848

$884.8000

3000

$0.8400

$2,520.0000

6000

$0.8064

$4,838.4000

9000

$0.7840

$7,056.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SQJ110EP-T1_GE3
SQJ110EP-T1_GE3
SQJ110EP-T1_GE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C170A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)500W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs113 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6100 pF @ 25 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.823608s