• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
SIR184LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$1.6464

$1.6464

10

$1.3552

$13.5520

100

$1.0528

$105.2800

500

$0.8960

$448.0000

1000

$0.7280

$728.0000

3000

$0.6832

$2,049.6000

6000

$0.6496

$3,897.6000

9000

$0.6160

$5,544.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR184LDP-T1-RE3
SIR184LDP-T1-RE3
SIR184LDP-T1-RE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
-
Лента и катушка (TR)
5583
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1950 pF @ 30 V
captcha
0
1.243823s