• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
SIJH5700E-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
-
Лента и катушка (TR)
2000
:
:

1

$7.0448

$7.0448

10

$5.9136

$59.1360

100

$4.7824

$478.2400

500

$4.2560

$2,128.0000

1000

$3.6400

$3,640.0000

2000

$3.4272

$6,854.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJH5700E-T1-GE3
SIJH5700E-T1-GE3
SIJH5700E-T1-GE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® 8 x 8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C17A (Ta), 174A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® 8 x 8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)7.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs140 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds7500 pF @ 75 V
captcha
0
0.897467s