• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$2.0832

$2.0832

10

$1.7248

$17.2480

100

$1.3776

$137.7600

500

$1.1648

$582.4000

1000

$0.9856

$985.6000

3000

$0.9408

$2,822.4000

6000

$0.9072

$5,443.2000

9000

$0.8736

$7,862.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
-
Лента и катушка (TR)
5923
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35.4A (Ta), 126A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)+20V, -16V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs70 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3850 pF @ 20 V
captcha
0
0.900393s