• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
:
:

1

$0.4144

$0.4144

10

$0.2912

$2.9120

100

$0.1456

$14.5600

500

$0.1344

$67.2000

1000

$0.1008

$100.8000

2000

$0.0896

$179.2000

4000

$0.0896

$358.4000

8000

$0.0896

$716.8000

12000

$0.0784

$940.8000

28000

$0.0784

$2,195.2000

100000

$0.0672

$6,720.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
RN4985FE,LXHF(CT
RN4985FE,LXHF(CT
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
-
Лента и катушка (TR)
7970
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.100mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Частота – переход250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)2.2kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Пакет устройств поставщикаES6
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.813459s