• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN2701,LF
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN2701,LF
:
:

1

$0.3136

$0.3136

10

$0.2128

$2.1280

100

$0.1008

$10.0800

500

$0.0896

$44.8000

1000

$0.0560

$56.0000

3000

$0.0560

$168.0000

6000

$0.0448

$268.8000

9000

$0.0448

$403.2000

30000

$0.0448

$1,344.0000

75000

$0.0336

$2,520.0000

150000

$0.0336

$5,040.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN2701,LF
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN2701,LF
RN2701,LF
RN2701,LF
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
-
Лента и катушка (TR)
3000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Частота – переход200MHz
Резистор — база (R1)4.7kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)4.7kOhms
Пакет устройств поставщикаUSV
captcha
0
1.298672s