• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
-
Лента и катушка (TR)
1500
:
:

1

$1.6128

$1.6128

10

$1.3216

$13.2160

100

$1.0192

$101.9200

500

$0.8624

$431.2000

1500

$0.7056

$1,058.4000

3000

$0.6608

$1,982.4000

7500

$0.6384

$4,788.0000

10500

$0.6048

$6,350.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Nexperia
PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-100, SOT-669
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C200A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 25A, 10V
Особенность полевого транзистораSchottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)194W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.6V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаLFPAK56, Power-SO8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs78 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6297 pF @ 20 V
captcha
0
0.979467s