• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
:
:

1

$21.3808

$21.3808

10

$19.6448

$196.4480

25

$18.8384

$470.9600

80

$15.7808

$1,262.4640

288

$14.7616

$4,251.3408

576

$13.7424

$7,915.6224

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF
-
Поднос
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)80V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C200A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds14000pF @ 40V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs195nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаAPM12-CBA
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q100
captcha
0
0.752417s