• image of БТИЗ-модули>NXH240B120H3Q1PG-R
  • image of БТИЗ-модули>NXH240B120H3Q1PG-R
NXH240B120H3Q1PG-R
PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
-
Поднос
21
:
:

1

$160.5520

$160.5520

21

$148.6128

$3,120.8688

42

$143.1920

$6,014.0640

image of БТИЗ-модули>NXH240B120H3Q1PG-R
image of БТИЗ-модули>NXH240B120H3Q1PG-R
NXH240B120H3Q1PG-R
NXH240B120H3Q1PG-R
БТИЗ-модули
Sanyo Semiconductor/onsemi
PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
-
Поднос
21
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияThree Level Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
НТЦ-термисторYes
Пакет устройств поставщика32-PIM (71x37.4)
Тип БТИЗTrench Field Stop
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)68 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)1200 V
Мощность - Макс.158 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)400 µA
Входная емкость (Cies) при Vce18.151 nF @ 20 V
captcha
0
1.035287s