• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS4C306NT1G
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS4C306NT1G
:
:

1

$1.7920

$1.7920

10

$1.4896

$14.8960

100

$1.1760

$117.6000

500

$0.9968

$498.4000

1500

$0.8512

$1,276.8000

3000

$0.8064

$2,419.2000

7500

$0.7728

$5,796.0000

10500

$0.7504

$7,879.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS4C306NT1G
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS4C306NT1G
NVMFS4C306NT1G
NVMFS4C306NT1G
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Sanyo Semiconductor/onsemi
TRENCH 30V NCH
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN, 5 Leads
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3W (Ta), 36.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.1V @ 250µA
Пакет устройств поставщика5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11.6 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1683 pF @ 15 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.679066s