• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
MUN5211DW1T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
-
Разрезанная лента (CT)
3000
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>MUN5211DW1T1
MUN5211DW1T1
MUN5211DW1T1
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Sanyo Semiconductor/onsemi
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
-
Разрезанная лента (CT)
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаРазрезанная лента (CT)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.250mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Резистор — база (R1)10kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSC-88/SC70-6/SOT-363
captcha
0
0.672843s