• image of Диодные матрицы>MSRT200120D
  • image of Диодные матрицы>MSRT200120D
MSRT200120D
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
-
Масса
40
:
:

80

$106.2768

$8,502.1440

image of Диодные матрицы>MSRT200120D
image of Диодные матрицы>MSRT200120D
MSRT200120D
MSRT200120D
Диодные матрицы
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
-
Масса
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсThree Tower
Тип монтажаChassis Mount
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ТехнологииStandard
Конфигурация диода1 Pair Series Connection
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)200A
Пакет устройств поставщикаThree Tower
Рабочая температура - соединение-55°C ~ 150°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)1200 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.1 V @ 200 A
Ток – обратная утечка @ Vr10 µA @ 1600 V
captcha
0
0.707820s