• image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
MMDT5401HE3-TP
DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.4144

$0.4144

10

$0.2912

$2.9120

100

$0.1456

$14.5600

500

$0.1344

$67.2000

1000

$0.1008

$100.8000

3000

$0.0896

$268.8000

6000

$0.0896

$537.6000

9000

$0.0784

$705.6000

30000

$0.0784

$2,352.0000

75000

$0.0672

$5,040.0000

150000

$0.0672

$10,080.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
MMDT5401HE3-TP
MMDT5401HE3-TP
Биполярные транзисторные матрицы
Micro Commercial Components (MCC)
DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
-
Лента и катушка (TR)
5890
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)600mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)150V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)50nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Частота – переход100MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-363
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.847825s