• image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
MMDT3906HE3-TP
DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.5040

$0.5040

10

$0.3584

$3.5840

100

$0.1792

$17.9200

500

$0.1568

$78.4000

1000

$0.1232

$123.2000

3000

$0.1120

$336.0000

6000

$0.1120

$672.0000

9000

$0.1008

$907.2000

30000

$0.0896

$2,688.0000

75000

$0.0784

$5,880.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT3906HE3-TP
MMDT3906HE3-TP
MMDT3906HE3-TP
Биполярные транзисторные матрицы
Micro Commercial Components (MCC)
DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363
-
Лента и катушка (TR)
5975
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)200mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)40V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)50nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Частота – переход250MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-363
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.803298s