95
$1.9264
$183.0080
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.3A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
