• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
IRF7503TR
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
-
Разрезанная лента (CT)
4000
:
:

1

$10.0464

$10.0464

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF7503TR
IRF7503TR
IRF7503TR
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
-
Разрезанная лента (CT)
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаРазрезанная лента (CT)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.25W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.4A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds210pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs12nC @ 10V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаMicro8™
captcha
0
0.516892s