• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF6156
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF6156
:
:

6000

$0.9408

$5,644.8000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF6156
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF6156
IRF6156
IRF6156
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 6FLIPFET
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаDISCONTINUED
Пакет/кейс6-FlipFet™
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2.5W
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.5A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds950pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs40mOhm @ 6.5A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs18nC @ 5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика6-FlipFet™
captcha
0
0.531491s