• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
:
:

100

$0.5936

$59.3600

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5852
IRF5852
IRF5852
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
-
Трубка
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядHEXFET®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.960mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.7A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds400pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1.25V @ 250µA
Пакет устройств поставщика6-TSOP
captcha
0
0.615326s