• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
IRF5810TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

3000

$0.5824

$1,747.2000

6000

$0.5488

$3,292.8000

9000

$0.5264

$4,737.6000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>IRF5810TR
IRF5810TR
IRF5810TR
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
-
Лента и катушка (TR)
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядHEXFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.960mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.9A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds650pF @ 16V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика6-TSOP
captcha
0
0.545745s