• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD063N15NM5ATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD063N15NM5ATMA1
IQD063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$5.4096

$5.4096

10

$4.5472

$45.4720

100

$3.6736

$367.3600

500

$3.2704

$1,635.2000

1000

$2.8000

$2,800.0000

2000

$2.6320

$5,264.0000

5000

$2.5312

$12,656.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD063N15NM5ATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD063N15NM5ATMA1
IQD063N15NM5ATMA1
IQD063N15NM5ATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
5000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™ 5
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6.32mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.6V @ 159µA
Пакет устройств поставщикаPG-TSON-8-9
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs60 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4700 pF @ 75 V
captcha
0
0.563218s