• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD020N10NM5ATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD020N10NM5ATMA1
IQD020N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$5.2080

$5.2080

10

$4.3680

$43.6800

100

$3.5392

$353.9200

500

$3.1472

$1,573.6000

1000

$2.6880

$2,688.0000

2000

$2.5312

$5,062.4000

5000

$2.4304

$12,152.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD020N10NM5ATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IQD020N10NM5ATMA1
IQD020N10NM5ATMA1
IQD020N10NM5ATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
5000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™ 5
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C26A (Ta), 276A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.05mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.8V @ 159µA
Пакет устройств поставщикаPG-TSON-8-9
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs134 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds9500 pF @ 50 V
captcha
0
0.526869s