• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMH6AT108
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMH6AT108
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMH6AT108
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMH6AT108
IMH6AT108
IMH6AT108
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)47kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha
0
0.621179s