• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
:
:

1

$0.5264

$0.5264

10

$0.4144

$4.1440

100

$0.2464

$24.6400

500

$0.2240

$112.0000

1000

$0.1568

$156.8000

3000

$0.1456

$436.8000

6000

$0.1344

$806.4000

9000

$0.1232

$1,108.8000

30000

$0.1232

$3,696.0000

75000

$0.1120

$8,400.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
IMD10AT108
IMD10AT108
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
-
Лента и катушка (TR)
7805
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
PDF(9)
PDF(10)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA, 500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Частота – переход250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)10kOhms, 100Ohms
Резистор — база эмиттера (R2)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha
0
0.799900s