• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMB4AT110
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMB4AT110
:
:

1

$0.4032

$0.4032

3000

$0.1120

$336.0000

6000

$0.1008

$604.8000

9000

$0.0896

$806.4000

30000

$0.0896

$2,688.0000

75000

$0.0896

$6,720.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMB4AT110
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMB4AT110
IMB4AT110
IMB4AT110
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha
0
0.652314s