• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330FP
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330FP
:
:

50

$1.9376

$96.8800

1000

$1.8144

$1,814.4000

5000

$1.6576

$8,288.0000

15000

$1.5232

$22,848.0000

25000

$1.4224

$35,560.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330FP
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330FP
ICE60N330FP
ICE60N330FP
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
100
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs330mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)35W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220FP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs43 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1250 pF @ 25 V
captcha
0
0.543420s