• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
:
:

30

$4.1440

$124.3200

150

$3.8864

$582.9600

600

$3.5504

$2,130.2400

2100

$3.2704

$6,867.8400

6000

$3.0352

$18,211.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
ICE60N130W
ICE60N130W
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
90
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs150mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)208W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs72 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2730 pF @ 25 V
captcha
0
0.508105s