• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60EFP
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60EFP
:
:

50

$2.7776

$138.8800

250

$2.5984

$649.6000

500

$2.3744

$1,187.2000

1000

$2.1952

$2,195.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60EFP
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60EFP
ICE20N60EFP
ICE20N60EFP
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
900
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)35W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220FP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha
0
0.400265s