• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
ICE19N60L
Superjunction MOSFET
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

3000

$2.7776

$8,332.8000

9000

$2.5984

$23,385.6000

15000

$2.3744

$35,616.0000

21000

$2.1728

$45,628.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
ICE19N60L
ICE19N60L
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Лента и катушка (TR)
6000
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-PowerTSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs220mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)236W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщика4-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha
0
0.644707s