• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE15N60
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE15N60
:
:

50

$2.8112

$140.5600

1000

$2.6320

$2,632.0000

5000

$2.4080

$12,040.0000

15000

$2.2176

$33,264.0000

25000

$2.0608

$51,520.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE15N60
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE15N60
ICE15N60
ICE15N60
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
100
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs250mOhm @ 7.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)156W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha
0
0.583604s