• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IAUCN04S7L005ATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IAUCN04S7L005ATMA1
IAUCN04S7L005ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$3.0016

$3.0016

10

$2.6992

$26.9920

25

$2.5424

$63.5600

100

$2.2064

$220.6400

250

$2.0944

$523.6000

500

$1.8816

$940.8000

1000

$1.5904

$1,590.4000

2500

$1.5008

$3,752.0000

5000

$1.4448

$7,224.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IAUCN04S7L005ATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IAUCN04S7L005ATMA1
IAUCN04S7L005ATMA1
IAUCN04S7L005ATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(20V 40V)
-
Лента и катушка (TR)
985
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™ 7
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C430A (Tj)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.52mOhm @ 88A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)179W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.8V @ 95µA
Пакет устройств поставщикаPG-TDSON-8-43
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±16V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs141 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds9415 pF @ 20 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.648632s