• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
GT400P10M
MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
-
Лента и катушка (TR)
800
:
:

1

$1.9040

$1.9040

10

$1.5792

$15.7920

100

$1.2544

$125.4400

800

$1.0640

$851.2000

1600

$0.9072

$1,451.5200

2400

$0.8624

$2,069.7600

5600

$0.8288

$4,641.2800

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
GT400P10M
GT400P10M
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
-
Лента и катушка (TR)
783
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)106W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3073 pF @ 50 V
captcha
0
0.410595s