• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT095N04D5
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT095N04D5
GT095N04D5
MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

5000

$0.1904

$952.0000

15000

$0.1792

$2,688.0000

30000

$0.1568

$4,704.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT095N04D5
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT095N04D5
GT095N04D5
GT095N04D5
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
-
Лента и катушка (TR)
80000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C54A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)29.8W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (4.9x5.75)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs23 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds942 pF @ 20 V
captcha
0
0.495265s