• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT065P06D5
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT065P06D5
GT065P06D5
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$1.6688

$1.6688

10

$1.3888

$13.8880

100

$1.0976

$109.7600

500

$0.9296

$464.8000

1000

$0.7952

$795.2000

2000

$0.7504

$1,500.8000

5000

$0.7280

$3,640.0000

10000

$0.7056

$7,056.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT065P06D5
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT065P06D5
GT065P06D5
GT065P06D5
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
-
Лента и катушка (TR)
3253
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C103A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs7mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)178W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (4.9x5.75)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs62 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5326 pF @ 30 V
captcha
0
0.710317s