• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
G220P03D32
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$0.6608

$0.6608

10

$0.5712

$5.7120

100

$0.3920

$39.2000

500

$0.3024

$151.2000

1000

$0.2464

$246.4000

2000

$0.2240

$448.0000

5000

$0.2128

$1,064.0000

10000

$0.2016

$2,016.0000

25000

$0.1904

$4,760.0000

50000

$0.1904

$9,520.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
G220P03D32
G220P03D32
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
-
Лента и катушка (TR)
4960
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.30W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1305pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (3.15x3.05) Dual
captcha
0
0.866023s