• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
G1K1P06LH
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.4592

$0.4592

10

$0.3248

$3.2480

100

$0.1680

$16.8000

500

$0.1456

$72.8000

1000

$0.1120

$112.0000

3000

$0.1008

$302.4000

6000

$0.1008

$604.8000

9000

$0.0896

$806.4000

30000

$0.0896

$2,688.0000

75000

$0.0784

$5,880.0000

150000

$0.0672

$10,080.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
G1K1P06LH
G1K1P06LH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
-
Лента и катушка (TR)
3000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds970 pF @ 30 V
captcha
0
0.686823s